Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:21A (Ta), 40A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 20A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.1V @ 50µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:62 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±12V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3170 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.7W (Ta), 37W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:PQFN (3x3)
• Paket / Koffer:8-VQFN Exposed Pad