Technische Details

• Serie:-
• Paket:Tube
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:1A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4V, 5V
• rds on (max) @ id, vgs:540mOhm @ 600mA, 5V
• vgs (th) (max) @ id:2V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:6.1 nC @ 5 V
• vgs (max):±10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:250 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1.3W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
• Paket / Koffer:4-DIP (0.300", 7.62mm)