Technische Details

• Serie:HEXFET®, StrongIRFET™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:38A (Ta), 211A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:0.75mOhm @ 50A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:1.1V @ 100µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:158 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±12V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:8.292 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.1W (Ta), 63W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET™ MD
• Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric MD