Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:24A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):2.5V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:42mOhm @ 12A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:44 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±8V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1460 pF @ 15 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):-
• Betriebstemperatur:-
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:TO-262
• Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA