- ArtikelnummerIRFS59N10DTRLP
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 100V 59A TO263-3-2
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$1.3
- 3.200$1.3
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:59A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
- rds on (max) @ id, vgs:25mOhm @ 35.4A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:5.5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:114 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2450 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):3.8W (Ta), 200W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO263-3-2
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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