- ArtikelnummerIRFHM8337TRPBF-IR
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 2.081
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.16
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:12A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
- rds on (max) @ id, vgs:12.4mOhm @ 12A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.35V @ 25µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:8.1 nC @ 4.5 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:755 pF @ 15 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2.8W (Ta), 25W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
- Paket / Koffer:8-PowerVDFN
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