Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:21A (Ta), 83A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:4.9mOhm @ 20A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2V @ 50µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:59 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2.6 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):3.4W (Ta), 54W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:PQFN (5x6)
• Paket / Koffer:8-TQFN Exposed Pad