Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:5.1A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:55mOhm @ 7.5A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:5V @ 150µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:54 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2290 pF @ 100 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-PQFN (5x6)
• Paket / Koffer:8-PowerTDFN