Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):75 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:17A (Ta), 100A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
• rds on (max) @ id, vgs:5.9mOhm @ 50A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 150µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:98 nC @ 10 V
• vgs (max):-
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4.29 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):-
• Betriebstemperatur:-
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-PQFN (5x6)
• Paket / Koffer:8-PowerTDFN