- ArtikelnummerIRFD224PBF
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 2.459
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Preisgestaltung:
- 1$1.56
- 10$1.37769
- 100$1.08909
- 500$0.84456
- 1.000$0.66676
- 2.500$0.62231
- 5.000$0.59119
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):250 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:630mA (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:1.1Ohm @ 380mA, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:260 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):1W (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- Paket / Koffer:4-DIP (0.300", 7.62mm)
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