- ArtikelnummerIRFD113PBF
- MarkeVishay / Siliconix
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 1.637
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Preisgestaltung:
- 1$2.27
- 10$2.04775
- 100$1.64551
- 500$1.27984
- 1.000$1.06044
- 2.500$0.98731
- 5.000$0.95074
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:800mA (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:800mOhm @ 800mA, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:200 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):1W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- Paket / Koffer:4-DIP (0.300", 7.62mm)
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