- ArtikelnummerIRFBA90N20DPBF
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIRFBA90N20 - SMPS HEXFET
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.980
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Preisgestaltung:
- 1$3.41
- 50$2.79686
- 100$2.52402
- 500$2.1147
- 1.000$1.84184
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:98A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:23mOhm @ 59A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:5V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:240 nC @ 10 V
- vgs (max):±30V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:6.08 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):650W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:SUPER-220™ (TO-273AA)
- Paket / Koffer:TO-273AA
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