- ArtikelnummerIRFB3306GPBF
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 872
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Preisgestaltung:
- 1$1.74
- 10$1.58226
- 100$1.28931
- 500$1.02321
- 1.000$0.86356
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Tube
- Teilestatus:Not For New Designs
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:120A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:4.2mOhm @ 75A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 150µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:120 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4520 pF @ 50 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):230W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
- Paket / Koffer:TO-220-3
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