Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N and P-Channel
• Fet-Funktion:Logic Level Gate
• Drain-Source-Spannung (vdss):30V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3.5A, 2.3A
• rds on (max) @ id, vgs:100mOhm @ 2.2A, 10V

• vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA
• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:14nC @ 10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:190pF @ 15V
• Leistung max:2W
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Gerätepaket des Lieferanten:8-SO