- ArtikelnummerIRF8313PBF
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungHEXFET POWER MOSFET
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 1.471
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Preisgestaltung:
- 1$0.24
- 10$0.21114
- 100$0.16445
- 500$0.1324
- 1.000$0.10822
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Tube
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Standard
- Drain-Source-Spannung (vdss):30V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:9.7A (Ta)
- rds on (max) @ id, vgs:15.5mOhm @ 9.7A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.35V @ 25µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:9nC @ 4.5V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:760pF @ 15V
- Leistung max:2W (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
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