- ArtikelnummerIRF8113TRPBF
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.81
- 4.000$0.36158
- 8.000$0.33665
- 12.000$0.32418
- 28.000$0.31737
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:17.2A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:5.6mOhm @ 17.2A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:36 nC @ 4.5 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2910 pF @ 15 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2.5W (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
- Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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