- ArtikelnummerIRF7832PBF
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungHEXFET POWER MOSFET
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.37
- 10$0.32771
- 100$0.25905
- 500$0.2009
- 1.000$0.15861
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:20A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:4mOhm @ 20A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.32V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:51 nC @ 4.5 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4.31 pF @ 15 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2.5W (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 155°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
- Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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