Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:33A (Ta), 375A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:1.5mOhm @ 120A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:300 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:12.32 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):3.3W (Ta), 125W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET L8
• Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric L8