Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:4.6A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:46mOhm @ 4.6A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:38 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3150 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1.5W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-TSSOP
• Paket / Koffer:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)