Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):12 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:10A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):1.8V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 10A, 4.5V
• vgs (th) (max) @ id:1.2V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±8V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:5050 pF @ 10 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1.5W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-TSSOP
• Paket / Koffer:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)