- ArtikelnummerIRF7488TRPBF
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 11.200
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.5
- 4.000$0.5
- 8.000$0.475
- 12.000$0.45714
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):80 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:6.3A (Ta)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:29mOhm @ 3.8A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:57 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1.68 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):2.5W (Ta)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
- Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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