Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:4.5A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:60mOhm @ 2.7A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:5.5V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:50 nC @ 10 V
• vgs (max):±30V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:930 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.5W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
• Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)