- ArtikelnummerIRF7341TRPBF
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Preisgestaltung:
- 1$1.02
- 4.000$0.56953
- 8.000$0.54419
- 12.000$0.52608
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (vdss):55V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:4.7A
- rds on (max) @ id, vgs:50mOhm @ 4.7A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:36nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:740pF @ 25V
- Leistung max:2W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
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