- ArtikelnummerIRF7341GTRPBF
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 55V 5.1A
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 2.475
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$2.04
- 4.000$0.97097
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Standard
- Drain-Source-Spannung (vdss):55V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:5.1A
- rds on (max) @ id, vgs:50mOhm @ 5.1A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:1V @ 250µA (Min)
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:44nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:780pF @ 25V
- Leistung max:2.4W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.