- ArtikelnummerIRF7101PBF
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungHEXFET POWER MOSFET
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Auf Lager: 3.542
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.25
- 3.800$0.25
Technische Details
- Serie:HEXFET®
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (vdss):20V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3.5A
- rds on (max) @ id, vgs:100mOhm @ 1.8A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3V @ 250µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:15nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:320pF @ 15V
- Leistung max:2W
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
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