Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:28A (Ta), 170A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:2.2mOhm @ 28A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2.35V @ 100µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:54 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4.7 pF @ 15 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.8W (Ta), 100W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET™ MX
• Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric MX