Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tape & Reel (TR)
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):25 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:12A (Ta), 37A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:5.9mOhm @ 12A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2.4V @ 25µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1190 pF @ 13 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):1.8W (Ta), 15W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET S1
• Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric S1