Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):80 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:55A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:15mOhm @ 12A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4.9V @ 100µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1320 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET™ MZ
• Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric MZ