Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:5.7A (Ta), 25A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:35mOhm @ 5.7A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4.9V @ 50µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:890 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):3W (Ta), 42W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET™ SJ
• Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric SJ