Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:10.3A (Ta), 60A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:13mOhm @ 10.3A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4.8V @ 150µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:47 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2210 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET™ MN
• Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric MN