Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Tape & Reel (TR)
• Teilestatus:Obsolete
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:12.7A (Ta), 55A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:8.3mOhm @ 12.7A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2.25V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 4.5 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2560 pF @ 20 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2.1W (Ta), 42W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:DIRECTFET™ ST
• Paket / Koffer:DirectFET™ Isometric ST