Technische Details

• Serie:HEXFET®
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:P-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3.8A (Ta)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:98mOhm @ 3.8A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 250µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:511 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):2W (Ta)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:Micro6™(TSOP-6)
• Paket / Koffer:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6