Technische Details

• Serie:CoolMOS™ CE
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):500 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3.1A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):13V
• rds on (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 900mA, 13V
• vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 70µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:8.2 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:178 pF @ 100 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):42W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO251-3
• Paket / Koffer:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA