- ArtikelnummerIPP65R190E6XKSA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 116
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Preisgestaltung:
- 1$3.34
- 10$2.9831
- 100$2.44583
- 500$1.98057
- 1.000$1.67035
Technische Details
- Serie:CoolMOS™
- Paket:Tube
- Teilestatus:Not For New Designs
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:20.2A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:190mOhm @ 7.3A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 730µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:73 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1620 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):151W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO220-3
- Paket / Koffer:TO-220-3
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