- ArtikelnummerIPP60R160P7XKSA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.942
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$3.2
Technische Details
- Serie:CoolMOS™ P7
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:20A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:160mOhm @ 6.3A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 350µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:31 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1317 pF @ 400 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):81W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO220-3-1
- Paket / Koffer:TO-220-3
Verwandte Produkte
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.