Technische Details

• Serie:CoolMOS™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):500 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:7.6A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):13V
• rds on (max) @ id, vgs:500mOhm @ 2.3A, 13V
• vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 200µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:18.7 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:433 pF @ 100 V
• Fet-Funktion:Super Junction
• Verlustleistung (max):-
• Betriebstemperatur:-
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO220-3-1
• Paket / Koffer:TO-220-3