- ArtikelnummerIPL65R190E6AUMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Technische Details
- Serie:CoolMOS™ E6
- Paket:Tape & Reel (TR)
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:20.2A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:190mOhm @ 7.3A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 700µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:73 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1620 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):151W (Tc)
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-VSON-4
- Paket / Koffer:4-PowerTSFN
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