Technische Details

• Serie:CoolMOS™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:21.3A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
• rds on (max) @ id, vgs:165mOhm @ 9.3A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 900µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:86 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2.34 pF @ 100 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):195W (Tc)
• Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
• Befestigungsart:Surface Mount
• Gerätepaket des Lieferanten:PG-VSON-4
• Paket / Koffer:4-PowerTSFN