Technische Details

• Serie:SIPMOS®
• Paket:Tube
• Teilestatus:Not For New Designs
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:47A (Tc)
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs:26mOhm @ 33A, 10V
• vgs (th) (max) @ id:2V @ 2mA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:135 nC @ 10 V
• vgs (max):±20V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2500 pF @ 25 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):175W (Tc)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO262-3
• Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA