- ArtikelnummerIPDD60R190G7XTMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 303
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Preisgestaltung:
- 1$3.04
- 1.700$1.55328
- 3.400$1.44616
- 5.100$1.3926
Technische Details
- Serie:CoolMOS™ G7
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:13A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:190mOhm @ 4.2A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 210µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:18 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:718 pF @ 400 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):76W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-HDSOP-10-1
- Paket / Koffer:10-PowerSOP Module
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