- ArtikelnummerIPD90N06S4L05ATMA1
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$0.46
- 2.500$0.46
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:90A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:4.6mOhm @ 90A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 60µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:110 nC @ 10 V
- vgs (max):±16V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:8.18 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):107W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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