- ArtikelnummerIPD65R950CFDBTMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Technische Details
- Serie:CoolMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Obsolete
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:3.9A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:950mOhm @ 1.5A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4.5V @ 200µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:14.1 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:380 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):36.7W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO252-3
- Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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