- ArtikelnummerIPD50R650CEBTMA1
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 500V 9A
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 3.345
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$0.4
Technische Details
- Serie:CoolMOS™ CE
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):500 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:9A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
- rds on (max) @ id, vgs:650mOhm @ 1.8A, 13V
- vgs (th) (max) @ id:3.5V @ 150µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:342 pF @ 100 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):69W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart:-
- Gerätepaket des Lieferanten:-
- Paket / Koffer:-
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