- ArtikelnummerIPB80N06S208ATMA2
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$1.05
- 1.000$0.98108
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:80A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:7.7mOhm @ 58A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 150µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:96 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2.86 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):215W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO263-3-2
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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