- ArtikelnummerIPB180N03S4LH0ATMA1
- MarkeRochester Electronics
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$1.43
- 1.000$1.43
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Bulk
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:180A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
- rds on (max) @ id, vgs:0.95mOhm @ 100A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.2V @ 200µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:300 nC @ 10 V
- vgs (max):±16V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:23 pF @ 25 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):250W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO263-7-3
- Paket / Koffer:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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