- ArtikelnummerIPB054N06N3GATMA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
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Preisgestaltung:
- 1$1.66
- 1.000$0.78621
- 2.000$0.73379
- 5.000$0.6971
- 10.000$0.67089
Technische Details
- Serie:OptiMOS™
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:80A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
- rds on (max) @ id, vgs:5.4mOhm @ 80A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:4V @ 58µA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:82 nC @ 10 V
- vgs (max):±20V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:6600 pF @ 30 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):115W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Gerätepaket des Lieferanten:D²PAK (TO-263AB)
- Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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