- ArtikelnummerIMW120R030M1HXKSA1
- MarkeIR (Infineon Technologies)
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungSICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Auf Lager: 668
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
- 1$22.83
Technische Details
- Serie:CoolSiC™
- Paket:Tube
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:N-Channel
- Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain-Source-Spannung (vdss):1.2 kV
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:56A (Tc)
- Antriebsspannung (max rds an, min rds an):15V, 18V
- rds on (max) @ id, vgs:40mOhm @ 25A, 18V
- vgs (th) (max) @ id:5.7V @ 10mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 18 V
- vgs (max):+23V, -7V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2.12 nF @ 800 V
- Fet-Funktion:-
- Verlustleistung (max):227W (Tc)
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Befestigungsart:Through Hole
- Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO247-3-41
- Paket / Koffer:TO-247-3
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