- ArtikelnummerIDT71V25761YSA200BQI
- MarkeRenesas Electronics America
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungIC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
- KategorieErinnerung
Auf Lager: 3.545
Kann sofort versenden
Preisgestaltung:
Preis erfragen oder RFQ anfordern
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tray
- Teilestatus:Obsolete
- Speichertyp:Volatile
- Speicherformat:SRAM
- Technologie:SRAM - Synchronous, SDR
- Speichergröße:4.5Mb (128K x 36)
- Speicherschnittstelle:Parallel
- Taktfrequenz:200 MHz
- Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
- Zugriffszeit:5 ns
- Spannungsversorgung:3.135V ~ 3.465V
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:165-TBGA
- Gerätepaket des Lieferanten:165-CABGA (13x15)
Verwandte Produkte
IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8SOIC
Auf Lager: 3.696
- 1: $0.40837
- 2000: $0.40251
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA
Auf Lager: 1
- 1: $6.52000
IC EEPROM 32KBIT I2C 8SOIC
Auf Lager: 3.848
Preis erfragen
IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
Auf Lager: 2.148
Preis erfragen
CACHE SRAM, 512KX36, 3.4NS
Auf Lager: 100
- 1: $15.84000
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Auf Lager: 3.199
- 1: $1.12000
- 960: $1.12000
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Auf Lager: 2.671
- 1: $231.34000
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 24BGA
Auf Lager: 3.551
Preis erfragen
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Auf Lager: 195
- 1: $64.80000
IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
Auf Lager: 2.155
- 1: $27.07375
- 104: $25.20413
In den Warenkorb gelegt!
Dieser Artikel wurde Ihrem Warenkorb hinzugefügt.