Technische Details

• Serie:HTMOS™
• Paket:Bulk
• Teilestatus:Active
• Fußtyp:N-Channel
• Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
• Drain-Source-Spannung (vdss):55 V
• Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:-
• Antriebsspannung (max rds an, min rds an):5V
• rds on (max) @ id, vgs:400mOhm @ 100mA, 5V
• vgs (th) (max) @ id:2.4V @ 100µA

• Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:4.3 nC @ 5 V
• vgs (max):10V
• Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 28 V
• Fet-Funktion:-
• Verlustleistung (max):50W (Tj)
• Betriebstemperatur:-55°C ~ 225°C (TJ)
• Befestigungsart:Through Hole
• Gerätepaket des Lieferanten:8-CDIP-EP
• Paket / Koffer:8-CDIP Exposed Pad