- ArtikelnummerHS8K11TB
- MarkeROHM Semiconductor
- Lebenszyklusstatus Active
- RoHS RoHS Compliant
- BeschreibungMOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
- KategorieTransistoren - Fets, Mosfets - Arrays
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Preisgestaltung:
- 1$0.67
- 3.000$0.22368
- 6.000$0.20925
- 15.000$0.20203
Technische Details
- Serie:-
- Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- Teilestatus:Active
- Fußtyp:2 N-Channel (Dual)
- Fet-Funktion:Logic Level Gate
- Drain-Source-Spannung (vdss):30V
- Strom - Dauerstrom (id) @ 25°c:7A, 11A
- rds on (max) @ id, vgs:17.9mOhm @ 7A, 10V
- vgs (th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
- Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:11.1nC @ 10V
- Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:500pF @ 15V
- Leistung max:2W
- Betriebstemperatur:150°C (TJ)
- Befestigungsart:Surface Mount
- Paket / Koffer:8-UDFN Exposed Pad
- Gerätepaket des Lieferanten:HSML3030L10
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